天津国芯科技有限公司位于天津滨海新区，公司具有国家商用密码生产定点单位许可、商用密码销售许可及多项商用密码产品型号等资质，是天津市高新技术企业、工信部认证的集成电路设计企业、ISO9001质量管理体系认证单位、天津市密码行业联盟理事单位、天津市集成电路行业协会理事单位、天津市物联网产业联盟理事单位。
天津国芯成立之初就与国际著名半导体企业德国英飞凌开展IC设计技术合作，引进了英飞凌的高端IC设计技术和体系。此举在加速国际高端设计技术向中国市场转移的同时也提升了天津国芯的集成电路设计能力及水平。公司拥有经验丰富的研发及管理团队，专业从事32位信息安全专用嵌入式CPU及其系统芯片（SoC）的设计、生产、销售与服务等工作，在安全芯片设计领域拥有丰富的经验。
公司产品目前已用于智能电网、手机移动支付、M2M信息加密、金融终端等信息安全领域。公司成立以来先后完成了多款适用于各领域安全终端产品的信息安全SoC产品开发、批量生产和销售，其中高端加密SD卡首次在上海世博会的“警务通”系统中使用，成为上海世博会“警务通”系统唯一使用的安全SD芯片卡。公司产品曾获得第十三届中国国际高新技术成果交易会“优秀产品奖”、2012年度“中国电子信息行业用户满意产品”等诸多荣誉。
网址：www.china-core-tj.com
电话：022-59826555
地址：天津开发区第四大街80号天大科技园软件大厦北楼三层306室（215013）
安全芯片CUni360S-Z
产品概述
CUni360S-Z安全芯片是具备接触和磁条卡操作功能的信息安全芯片。CUni360S-Z芯片采用国内具有自主知识产权的32位CPU安全内核CS0进行设计，具有低功耗、高性能、多功能及高安全性等特点。可广泛应用于POS机、双界面读卡器、动态二维码终端等领域。典型工作频率60MHz。
性能特点
（1）CPU特性
低功耗32位RISC核芯，高度优化的3级流水线；支持字节、半字、字内存访问；支持中断嵌套；支持单周期32位×32位硬件整数乘法器阵列、3~13周期硬件整数分频器阵列；存储器保护单元MPU；低功耗高性能；支持Cache；定时模块EPT。
（2）片上存储资源
64K字节SRAM；16K字节ROM；512K字节EFLASH。
（3）内部模块
DMA/EDMA；2个定时器（PIT）；看门狗（WDT）；实时时钟（RTC）；计时器（TC）。
（4）安全特性
·具有公钥算法引擎，支持SM2、RSA算法。
·具有对称算法引擎，支持SM1、SM4、DES/3DES、AES算法。
·具有摘要算法引擎，支持SM3、SHA-0/ SHA-1/ SHA-224/ SHA-256/ SHA-384/ SHA-512算法。
·支持CRC32/CRC16/ CRC8，支持DMAC操作。
·存储保护机制：面向应用的存储分区，硬件支持各分区之间的安全隔离，总线加扰。
·真随机数发生器，符合FIPS 140-2标准和国家商密标准。
·安全检测与防护单元：支持电压异常检测、光照异常检测、电源毛刺检测、金属屏蔽保护、温度异常检测、频率异常检测、时钟和复位脉冲过滤、安全优化布线。
·PCI认证支持：支持128 Byte的NvSRAM，支持4对开盖检测信号（动态/静态检测模式可配），支持电压检测、温度检测、自毁清零NvSRAM。
（5）接口特性
具有EPORT、USB、SPI、I2C、UART（SCI）、ISO7816、磁条卡、AD、PWM等接口。
（6）其他特性
·每一颗产品具有唯一序列号；
·主电输入电压2.5~5.5V，PCI域输入电压2~3.3V；
·典型功耗20mA@ 60MHz，低功耗Sleep模式小于50μA；
·ESD保护：4kV；
·支持内部上电复位和外部复位。
技术参数
（1）工作频率：60MHz；
（2）处理器性能：0.9 DMIPS/MHz；
（3）存储空间：16kB ROM、64kB SRAM、512kB FLASH；
（4）支持算法：SM1算法、SM2算法、SM3算法、SM4算法、AES算法、DES算法，RSA算法；
（5）SM1算法加解密性能（ECB/CBC）：241.6Mbps/241.6Mbps；
（6）SM2算法生成密钥（256位）：196.1次/秒；
（7）SM2算法加密（256位）：16Kbps；
（8）SM2算法解密（256位）：24Kbps；
（9）SM2算法签名（256位）：175.4次/秒；
（10）SM2算法验签（256位）：98次/秒；
（11）SM3算法性能：444.8Mbps；
（12）SM4算法加解密性能（ECB/CBC）：182.4Mbps/182.4Mbps；
（13）RSA算法生成密钥（2048位）：2秒/次；
（14）RSA算法加密（2048位）：833.3次/秒；
（15）RSA算法解密（2048位）：30.3次/秒；
（16）芯片采用工艺：TSMC 40nm EFLASH；
（17）芯片主要安全特性：MPU存储空间保护、内置复位、电压检测器、安全布线；
（18）面积：1989μm * 1935μm；
（19）封装形式：采用QFN76封装形式；
（20）芯片工作电压为：3.3V或1.8V；
（21）峰值功耗：145MW。
产品鉴定或检测证明等
证书编号：MDZS18A241TP-2
检测机构：银行卡检测中心
检测结果：CUni360S-Z芯片通过银行卡检测中心PCI 5.1标准检测。
摘自《工业控制系统信息安全产品及服务指南（2018版）》
